-
高精度單晶硅差壓傳感器廠家
高精度單晶硅差壓傳感器廠家 PT124G-3500-55/55D系列單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。 -
鈦硅藍寶石壓力傳感器油田井下芯體
鈦硅藍寶石壓力傳感器油田井下系列型藍寶石壓力芯體，系由鈦合金膜片與藍寶石單晶絕緣體組成高溫熱熔而成，測量時不會發生滯后、疲勞和蠕變現象；藍寶石有著非常好的彈性和絕緣特性（1000 ℃ 以內），對溫度變化不敏感，即使在高溫條件下，也有著很好的工作特性；另外，硅-藍寶石半導體敏感元件，無p-n漂移抗輻射特性*；因此，可應用于各種復雜環境場合。 鈦硅藍寶石壓力傳感器油田井下芯體 -
PT模擬型壓力傳感器芯體
PT模擬型壓力傳感器芯體$n模擬型壓力傳感器芯體溫度性能好隨著集成工藝技術進步，擴散硅敏感膜的四個電阻*性得到進一步提高，原始的手工補償已被激光調阻、 計算機自動修整技術所替代，傳感器的零位和靈敏度溫度系數已達10-5/°C數量級，工作溫度也大幅度提高。 -
模擬型壓力傳感器芯體
模擬型壓力傳感器芯體溫度性能好隨著集成工藝技術進步，擴散硅敏感膜的四個電阻*性得到進一步提高，原始的手工補償已被激光調阻、 計算機自動修整技術所替代，傳感器的零位和靈敏度溫度系數已達10-5/°C數量級，工作溫度也大幅度提高。 -
數字型壓力傳感器芯體
PT124G-3103數字型壓力傳感器芯體抗電擊穿性能好，由于采用了特殊材料和裝配工藝，擴散硅傳感器不但可以做到130℃正常使用，在強磁場、高電壓擊穿試驗中可抗擊1500V/AC電壓的沖擊。 -
擴散硅壓力傳感器芯體
PT124G-310擴散硅壓力傳感器芯體耐腐蝕性好由于擴散硅材料本身優良的化學防腐性能好，即使傳感器受壓面不隔離，也能在普通使用中適應各種介質。硅材料又與硅油有良好的兼容性，使它在采用防腐材料隔離時結構工藝更易于實現。加之它的低電壓、低電流、低功耗、低成本和本質安全防爆的特點，可替代諸多同類型的同功能產品，具有*良的性能價格比。 -
耐高溫單晶硅壓力傳感器
PT124G-3500-60/60J耐高溫單晶硅壓力傳感器采用歐洲MEMS技術制作而成的單晶硅芯片，具有高精度、耐高溫、超高過載、高穩等特性。內嵌強大信號處理模塊，能實現靜壓、差壓與溫度的寬范圍補償，能提供*的穩定性和測量高精度。 -
高精度單晶硅差壓傳感器
PT124G-3500-55/55D系列高精度單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。 -
哈氏合金單晶硅差壓傳感器
PT124G-3500-55/55D系列哈氏合金單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。 -
316L不銹鋼單晶硅差壓傳感器
PT124G-3500-55/55D系列316L不銹鋼單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。 -
負壓測量單晶硅差壓傳感器
PT124G-3500-55/55D系列負壓測量單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。 -
高精度單晶硅差壓傳感器
PT124G-3500-55/55D系列高精度單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。 -
溫度補償型單晶硅差壓傳感器
PT124G-3500-55/55D系列溫度補償型單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。 -
高過壓性能單晶硅差壓傳感器
PT124G-3500-55/55D系列高過壓性能單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。 -
MEMS技術單晶硅差壓傳感器
PT124G-3500-55/55D系列MEMS技術單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。 -
工業控制用單晶硅差壓傳感器
PT124G-3500-55/55D系列工業控制用單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。 -
-
可定制單晶硅壓力傳感器
PT124G-3500-60/60J可定制單晶硅壓力傳感器采用歐洲MEMS技術制作而成的單晶硅芯片，具有高精度、耐高溫、超高過載、高穩等特性。內嵌強大信號處理模塊，能實現靜壓、差壓與溫度的寬范圍補償，能提供*的穩定性和測量高精度。 -
哈氏合金單晶硅壓力傳感器
PT124G-3500-60/60J哈氏合金單晶硅壓力傳感器采用歐洲MEMS技術制作而成的單晶硅芯片，具有高精度、耐高溫、超高過載、高穩等特性。內嵌強大信號處理模塊，能實現靜壓、差壓與溫度的寬范圍補償，能提供*的穩定性和測量高精度。 -
316L不銹鋼單晶硅壓力傳感器
PT124G-3500-60/60J 316L不銹鋼單晶硅壓力傳感器采用歐洲MEMS技術制作而成的單晶硅芯片，具有高精度、耐高溫、超高過載、高穩等特性。內嵌強大信號處理模塊，能實現靜壓、差壓與溫度的寬范圍補償，能提供*的穩定性和測量高精度。
胡經理
86-021-51691919
15026706579
在線客服
用心服務成就你我